中國(guó)報(bào)道訊(吳蜀豐 報(bào)道)【編者按】在中華百家姓中，吳姓從古至今名人輩出，更是舉足輕重，他們?cè)诟餍袠I(yè)中發(fā)揮著重要的作用，無(wú)論是商界還是政壇，還是演藝界。他們永遠(yuǎn)是嬌嬌者!他們永遠(yuǎn)是吳姓人驕傲，也是學(xué)習(xí)的楷模和榜樣。英才輩出的吳氏家族，在政界、軍界、商界、學(xué)術(shù)界等領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱，獨(dú)當(dāng)一面。

尤其在科學(xué)界，吳氏家族也誕生了眾多的科學(xué)人才，他們延續(xù)了吳氏艱苦奮斗，開拓創(chuàng)新的品質(zhì)，在某個(gè)領(lǐng)域取得卓越成績(jī)，為祖國(guó)的生產(chǎn)建設(shè)做出了不可磨滅的貢獻(xiàn)，贏得了中國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院院士等榮譽(yù)達(dá)59名。他們分別來(lái)自河北、山東、山西、浙江、安徽、甘肅、廣東、廣西、江蘇、江西、福建、上海、遼寧、浙江、湖北、四川等省直轄市。其中吳氏祖地江蘇省成為院士穩(wěn)坐頭把椅達(dá)18名。今年64名中國(guó)工程院院士名單榜中的甘肅天水吳驪珠，安徽安慶吳宜燦榜上有名，他們永遠(yuǎn)是我們學(xué)習(xí)的楷模。

19吳全德(1923年12月12日-2005年12月29日)，浙江黃巖人，電子物理學(xué)家、教育家，中國(guó)科學(xué)院學(xué)部委員(院士)，中國(guó)光電陰極理論研究的開拓者。

1947年畢業(yè)于清華大學(xué)電機(jī)系。1991當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。

研究領(lǐng)域主要在光電陰極、含超微粒子薄膜及薄膜的成核和生成等方面。

1923年12月12日，出生于浙江省黃巖縣(今臺(tái)州市黃巖區(qū))。吳全德的父親吳甘霖，在黃巖縣城郊開設(shè)小酒店，母親從事家務(wù)勞動(dòng)。父母教育他要誠(chéng)實(shí)待人，認(rèn)真讀書，做個(gè)好人。

1931年，入黃巖縣樊川小學(xué)，1933年轉(zhuǎn)入位于臨?？h海門區(qū)(今臺(tái)州市椒江區(qū))的浙江省立臺(tái)州中學(xué)附屬小學(xué)。他在小學(xué)成績(jī)一直優(yōu)秀。

1933年，小學(xué)畢業(yè)，順利升入浙江省立臺(tái)州中學(xué)初中部。

1938年，進(jìn)入浙江省立臺(tái)州中學(xué)高中部，因遇上日本兵艦炮擊海門，于1939年轉(zhuǎn)入黃巖縣中學(xué)(今黃巖中學(xué))，1943年春畢業(yè)。他中學(xué)學(xué)習(xí)成績(jī)優(yōu)異，可以保送上大學(xué)，但年輕的吳全德，一心想學(xué)好本領(lǐng)，抗日救國(guó)，結(jié)果填報(bào)和考取了遠(yuǎn)在南國(guó)云南昆明的西南聯(lián)合大學(xué)。

1943年9月，經(jīng)過兩個(gè)多月的跋山涉水，吳全德趕到了昆明，走進(jìn)了西南聯(lián)大的校門。

1945年，在轟轟烈烈的“一二一運(yùn)動(dòng)”中，吳全德積極參加，曾以“黃巖中學(xué)校友會(huì)”和“黃巖同鄉(xiāng)會(huì)”等名義，集體參加學(xué)生運(yùn)動(dòng)的活動(dòng)。

1946年9月，隨清華大學(xué)回到北平(今北京)繼續(xù)學(xué)習(xí)間回到北京，先都住在北大第四院(舊國(guó)會(huì)眾議院，現(xiàn)新華社址);10月初的一個(gè)星期日，乘著幾輛大卡車回到清華園，在清華園的牌坊前舉行了抗戰(zhàn)勝利后的返校儀式。

1947年，吳全德以優(yōu)異成績(jī)畢業(yè)于清華大學(xué)電機(jī)系，留校任物理系助教，協(xié)助孟昭英教授籌建電子學(xué)實(shí)驗(yàn)室。

1952年，院系調(diào)整，吳全德調(diào)到北京大學(xué)物理系，在電子學(xué)組任講師。

在抗美援朝戰(zhàn)爭(zhēng)中，中國(guó)人民志愿軍繳獲了敵軍的一種秘密武器，卻不知其用途，中央軍委將它送到北大。北大指派吳全德進(jìn)行研究，才知它是紅外線夜視鏡，在夜間能瞄準(zhǔn)人體。吳全德不但破解了這種秘密武器，而且自己制造出同樣的武器，為中國(guó)人民解放軍武器建設(shè)作出了重要的貢獻(xiàn)。

1953年，任電子學(xué)教研室代主任;同年4月，加入九三學(xué)社。

1955年，任電子物理教研室主任，從那時(shí)起他開始進(jìn)行電子光學(xué)方面的研究。1958年，該室研究紅外變像管。

1959年，北京大學(xué)建立無(wú)線電電子學(xué)系，電子物理專業(yè)被劃歸到該系，吳全德也轉(zhuǎn)到該系繼續(xù)任原職。

1961年，被提升為副教授。他在講授陰極電子學(xué)課程的同時(shí)，進(jìn)行光電陰極的研究工作。

1963年，首先提出了光電陰極的固溶膠理論。

1966年，提出離子晶體或共價(jià)晶體中固溶膠粒的形成和生長(zhǎng)理論。

1978年，晉升為教授。

1979年，吳全德提出銀氧銫陰極含銀超微粒子的能帶模型，推導(dǎo)出光電流密度和量子產(chǎn)額公式。此公式后來(lái)被中國(guó)之外的其他國(guó)家的學(xué)者稱為“吳氏輸運(yùn)函數(shù)”，他所提出的光電陰極的固溶膠模型和光電子發(fā)射的理論被稱為“吳氏理論”。

1983年7月1日，吳全德加入了中國(guó)共產(chǎn)黨。

1984年，吳全德領(lǐng)導(dǎo)的電子物理專業(yè)被批準(zhǔn)為首批博士點(diǎn)，他成為首批博士生導(dǎo)師。

1991年，吳全德當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院學(xué)部委員(后改為院士)，獲國(guó)務(wù)院頒發(fā)的政府特殊津貼。

1997年9月，在吳全德等人的建議下，北京大學(xué)成立“納米科學(xué)與技術(shù)研究中心”，他被任命為主任;該中心在單壁碳納米管、超高密度信息存儲(chǔ)、針尖化學(xué)等方面取得了創(chuàng)新成果。

1998年，承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目"納米電子學(xué)基礎(chǔ)研究"，任首席科學(xué)家。

2002年，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院成立，吳全德任學(xué)院學(xué)位委員會(huì)副主任;同年，與中國(guó)宇航科學(xué)及火箭權(quán)威、中國(guó)科學(xué)院院士梁思禮教授一同應(yīng)邀蒞臨董教總教育中心暨新紀(jì)元學(xué)院參加“721華教盛會(huì)”，并公開主講“納米科學(xué)的發(fā)展與人類未來(lái)”學(xué)術(shù)講座;同年9月，與梁思禮院士同時(shí)應(yīng)允出任新紀(jì)元學(xué)院學(xué)術(shù)顧問。

2004年12月，吳全德為慶祝馬來(lái)西亞華校董事聯(lián)合會(huì)總會(huì)創(chuàng)會(huì)五十周年慶，再度應(yīng)邀抵馬，公開演講“論科學(xué)美”，以其主持的實(shí)驗(yàn)室拍攝到的納米粒子結(jié)構(gòu)的珍貴照片，深入淺出的談納米科技及其微觀世界，探討科學(xué)與藝術(shù)相結(jié)合的美感經(jīng)驗(yàn)，將科學(xué)從形下之器提升到形上之道與美的境界。

2005年3月，吳全德院士被查出腦部患有血管瘤，本應(yīng)及時(shí)治療，他卻忙于科研，要等告一段落才能脫身治病;直至2005年12月發(fā)現(xiàn)血管瘤增大，住入北京醫(yī)院，延名醫(yī)會(huì)診，多數(shù)主張動(dòng)手術(shù)，少數(shù)主張保守療法，于12月20日由北京醫(yī)院名醫(yī)動(dòng)了手術(shù)，由于該腦瘤不能摘除，只得在血管上搭一支架。手術(shù)成功，手術(shù)后已恢復(fù)正常，不意25日血管瘤破裂。

2005年12月29日22時(shí)44分，吳全德院士經(jīng)多方搶救無(wú)效，不幸逝世，享年82歲，在其病重住院期間，吳全德還帶去了電腦和書稿，并完成了書名為《藝術(shù)與美》的寫作提綱。

研究領(lǐng)域主要在光電陰極、含超微粒子薄膜及薄膜的成核和生成等方面。1963年提出陰極固溶膠理論1966年提出離子晶體或共價(jià)晶體中固溶膠粒的形成和生長(zhǎng)理論1979年提出銀氧銫陰極光電發(fā)射的物理模型，推導(dǎo)出長(zhǎng)波光電發(fā)射的光電流密度和量子產(chǎn)額公式，計(jì)算了它的長(zhǎng)波光譜響應(yīng)理論曲線，從而得出對(duì)長(zhǎng)波有貢獻(xiàn)的平均銀超微粒的直徑約31埃。此理論被國(guó)外有關(guān)權(quán)威學(xué)者承認(rèn)并稱之為“吳氏理論”。1987年提出固體表面上原子團(tuán)和超微粒的形成和生長(zhǎng)理論，以及外延生長(zhǎng)條件。

創(chuàng)造“吳氏理論”在光電陰極方面，他進(jìn)行了較深入的理論和實(shí)驗(yàn)研究，尤其是對(duì)銀氧銫(Ag-O-Cs)光電陰極的結(jié)構(gòu)和光電子發(fā)射機(jī)理的研究取得了重要成果。Ag-O-Cs光陰極(也稱S—1陰極)是最早(1929)發(fā)明的實(shí)用光電陰極，世界上第一只電視攝像管和第一只紅外變像管就是利用這種陰極制成的。它具有較高的近紅外靈敏度和復(fù)雜的光譜響應(yīng)特性，至今在紅外光電轉(zhuǎn)換和探測(cè)儀器中仍被廣泛應(yīng)用。在激光出現(xiàn)以后，它的優(yōu)越的超短脈沖檢測(cè)特性和多光子效應(yīng)受到光電專家的重視，但它的發(fā)射機(jī)理長(zhǎng)期沒有被認(rèn)識(shí)清楚，近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，多數(shù)人認(rèn)為這個(gè)陰極是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，但用半導(dǎo)體模型解釋該陰極特性時(shí)又遇到很多矛盾，有些學(xué)者認(rèn)為S-1陰極的發(fā)射機(jī)理是一個(gè)謎。吳全德于1963年首先提出了這種光電陰極的固溶膠模型，指出了這種光電陰極的結(jié)構(gòu)是金屬銀超微粒子埋藏于氧化銫半導(dǎo)體中，他從理論上討論了基質(zhì)中金屬微粒的成核、生長(zhǎng)條件，提出了離子晶體或共價(jià)晶體中固溶膠粒的形成和生長(zhǎng)理論，并給出了金屬微粒-半導(dǎo)體薄膜的能帶結(jié)構(gòu)和電子態(tài)分布，以此為基礎(chǔ)討論了Ag-O-Cs光電陰極的導(dǎo)電機(jī)理、光吸收、光電激發(fā)和光電子輸運(yùn)過程以及光電子發(fā)射的量子產(chǎn)額公式：

Y(hv)=α∫∞Es-EFEE+(Ev-hv)E+(Ev-Ec)1/2expEm-EkTdE在這個(gè)領(lǐng)域，吳全德最先用這種模型、理論和公式定量地闡明了Ag-O-Cs光電陰極的結(jié)構(gòu)和特性，并從理論上得出對(duì)長(zhǎng)波光電發(fā)射有貢獻(xiàn)的平均銀超微粒的直徑為3.1納米。大量的科學(xué)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了這個(gè)模型是合理的，這個(gè)理論較好地解釋了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。此理論被歐美等國(guó)外權(quán)威學(xué)者承認(rèn)并稱之為“吳氏理論”。

在20世紀(jì)60年代后期，多堿光電陰極獲得廣泛應(yīng)用，它是在可見光、近紫外和近紅外范圍有較高靈敏度的實(shí)用光電陰極，是高增益高分辨率像增器發(fā)展的基礎(chǔ)，但對(duì)它的光電發(fā)射機(jī)理的討論都采用單晶半導(dǎo)體模型。吳全德在1985年與合作者一起對(duì)“多堿效應(yīng)”做出了實(shí)質(zhì)性的解釋，并提出多晶光電發(fā)射模型和對(duì)光譜響應(yīng)有影響的兩個(gè)參量，即晶粒間界處的位壘高度和光電子的界面損失率，從而對(duì)光譜響應(yīng)的變化給出解釋。

原子團(tuán)和超微粒子成核和生長(zhǎng)理論的研究

吳全德在光電陰極的研究方面取得突破性成果的同時(shí)，擴(kuò)展了他的研究范圍，研究了在更普遍的情況下，原子團(tuán)和超微粒子成核和生長(zhǎng)的理論，給出了在介質(zhì)或半導(dǎo)體中形成原子團(tuán)和超微粒子的理論公式和物理?xiàng)l件。在這個(gè)理論指導(dǎo)下，可以有目的地控制制備金屬超微粒子-半導(dǎo)體薄膜和金屬超微粒子-絕緣體薄膜。這類薄膜具有獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)和光電性質(zhì)，它可以制成光和電磁波強(qiáng)吸收材料、光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)材料、超短光脈沖檢測(cè)薄膜、以及多種氣體敏感薄膜。

吳全德意識(shí)到薄膜技術(shù)在高科技各個(gè)領(lǐng)域的重要性，但對(duì)薄膜生長(zhǎng)的基礎(chǔ)(包括成核、生長(zhǎng)、連續(xù)成膜和外延等)還沒有完整的理論。因此他研究了在固體表面原子團(tuán)形成的物理?xiàng)l件，討論了薄膜形成的一般過程和穩(wěn)定外延生長(zhǎng)的條件，提出成核、生長(zhǎng)和外延生長(zhǎng)的互補(bǔ)性，給出了有關(guān)公式。這一理論工作在薄膜制備和固體器件加工及外延生長(zhǎng)條件等方面是非常有意義的。

在上述研究的基礎(chǔ)上，吳全德與合作者以及他所指導(dǎo)的研究生進(jìn)行了金屬超微粒子的結(jié)構(gòu)和特性的系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)研究。人們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域中研究較多的是在惰性氣體中制備原子團(tuán)和測(cè)試原子團(tuán)的特性，而吳全德則已經(jīng)比較深入地研究了埋藏在介質(zhì)或半導(dǎo)體中的金屬超微粒子薄膜的結(jié)構(gòu)與特性，特別是它們的光電特性，從理論和實(shí)驗(yàn)上給出一系列的研究結(jié)果。這些成果表明了吳全德的研究工作有其獨(dú)到的開創(chuàng)性和先進(jìn)性。

據(jù)2015年12月九三學(xué)社中央委員會(huì)網(wǎng)站信息顯示，吳全德出版有《吳全德文集》和《薄膜物理》等書籍，發(fā)表150多篇學(xué)術(shù)文章;還出版了《藝術(shù)與科學(xué)的融合——納米科技改變?nèi)祟惿a(chǎn)、生活、思維方式》一書。

據(jù)2015年12月中國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所、國(guó)家工程技術(shù)數(shù)字研究館信息顯示，吳全德院士在1982年至2002年共申報(bào)了5項(xiàng)專利，專利名分別是激光脈沖檢測(cè)用光電發(fā)射薄膜、碳納米管的組裝技術(shù)及電子器件、內(nèi)場(chǎng)助金屬超微粒子/介質(zhì)復(fù)合光電發(fā)射薄膜及應(yīng)用、摻雜稀土元素的納米粒子/介質(zhì)復(fù)合光電薄膜及制備和應(yīng)用、金屬納米粒子-半導(dǎo)體介質(zhì)復(fù)合薄膜及制法和全光克爾開關(guān)。

全德對(duì)“金屬超微粒子-半導(dǎo)體薄膜材料的結(jié)構(gòu)和特性”的研究，獲1987年國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)和國(guó)家教育委員會(huì)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng);2004年，因電子顯微學(xué)基礎(chǔ)和納米結(jié)構(gòu)研究，獲北京市自然科學(xué)一等獎(jiǎng)。

人才培養(yǎng) 據(jù)2015年12月中國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所、國(guó)家工程技術(shù)數(shù)字研究館信息顯示，吳全德院士在1999年至2000年共培養(yǎng)出3名碩士研究生、3名博士研究生。

吳全德歷任《物理學(xué)報(bào)》、《高速攝影與光子學(xué)》編委，電子工業(yè)出版社顧問，中國(guó)電子學(xué)會(huì)理事，國(guó)防科工委夜視專業(yè)組副組長(zhǎng)，北京大學(xué)學(xué)術(shù)委員會(huì)委員，國(guó)家計(jì)委世界銀行貸款項(xiàng)目“重點(diǎn)學(xué)科發(fā)展項(xiàng)目”專家組成員，國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部電子學(xué)科評(píng)審組成員，中國(guó)科學(xué)院真空物理實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任，中國(guó)電子學(xué)會(huì)會(huì)士評(píng)審組成員和學(xué)術(shù)委員會(huì)委員等職務(wù)。

吳全德院士平易近人、為人正直、德高望重;教學(xué)上認(rèn)真負(fù)責(zé)、誨人不倦;科研上周密嚴(yán)謹(jǐn)、成果卓著。他是我們的好老師，做人的好榜樣。(北京大學(xué)評(píng))

“歲暮霜寒愁無(wú)限，故人西辭九重天，科海神游昨日事，后生猶記諄諄談，當(dāng)年納米先行者，呼號(hào)上下古稀年，藝術(shù)融合科學(xué)道，更存高德于世間。”(中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授劉忠范評(píng))

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