--打破美國芯片技術(shù)封鎖成功實現(xiàn)國產(chǎn)首臺計算機(jī)在重慶量產(chǎn)

中國報道訊(吳蜀豐 報道)【編者按】在中華百家姓中，吳姓從古至今名人輩出，更是舉足輕重，他們在各行業(yè)中發(fā)揮著重要的作用，無論是商界還是政壇，還是演藝界。他們永遠(yuǎn)是嬌嬌者!他們永遠(yuǎn)是吳姓人驕傲，也是學(xué)習(xí)的楷模和榜樣。英才輩出的吳氏家族，在政界、軍界、商界、學(xué)術(shù)界等領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱，獨當(dāng)一面。

尤其在科學(xué)界，吳氏家族也誕生了眾多國家級的科學(xué)人才，他們延續(xù)了吳氏艱苦奮斗，開拓創(chuàng)新的品質(zhì)，在某個領(lǐng)域取得卓越成績，為祖國的生產(chǎn)建設(shè)做出了不可磨滅的貢獻(xiàn)，贏得了中國工程院院士、中國科學(xué)院院士等榮譽(yù)。他們分別來自河北、山東、山西、浙江、安徽、甘肅、廣東、廣西、江蘇、江西、福建、上海、遼寧、浙江、湖北、四川等省直轄市。其中吳氏祖地江蘇省成為院士穩(wěn)坐頭把椅達(dá)18名。今年64名中國工程院院士名單榜中的甘肅天水吳驪珠，安徽安慶吳宜燦榜上有名，他們永遠(yuǎn)是我們學(xué)習(xí)的楷模。

中國科學(xué)院院士，是中華人民共和國設(shè)立的科學(xué)技術(shù)方面的最高學(xué)術(shù)稱號，為終身榮譽(yù)。1955年，第一批中國科學(xué)院學(xué)部委員產(chǎn)生;1956年5月，學(xué)部委員進(jìn)行了一次增聘。“文化大革命”結(jié)束后，1979年5月開始進(jìn)行學(xué)部委員增補(bǔ)工作，之后又中斷十年，至1990年再次進(jìn)行了學(xué)部委員增選，確定了兩年一度進(jìn)行增選。1993年10月，中華人民共和國國務(wù)院第十一次常務(wù)會議決定，將中國科學(xué)院學(xué)部委員改稱中國科學(xué)院院士。1994年6月，中國科學(xué)院首批外籍院士產(chǎn)生。1998年6月，實施資深院士制度。1998年6月，首次有外籍院士提出轉(zhuǎn)為中科院院士。

吳德馨，女。半導(dǎo)體器件專家。河北樂亭人。1961年畢業(yè)地清華大學(xué)無線電電子學(xué)系。中國科學(xué)院微電子中心主任、研究員。作為主要負(fù)責(zé)人之一，在國內(nèi)首先研制成功硅平面型NPN高速開關(guān)晶體管，所提出的提高開關(guān)速度的方案被廣泛采用。在介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運算放大器線性電路的研制中，解決了許多關(guān)鍵問題，研制成功N溝MOS4K位動態(tài)隨機(jī)存貯器，在國內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等用于大規(guī)模集成電路的研制，并進(jìn)行了提高成品率研究，打破了中國大規(guī)模集成電路成品率低的局面;研制成功16K位和64K位動態(tài)隨機(jī)存貯器，開發(fā)成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創(chuàng)了檢測腐蝕接解孔質(zhì)量的露點法;研制成功多種專用集成電路和VDMOS系列功率場效應(yīng)器件。1991年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。

院士簡介吳德馨(1936-):半導(dǎo)體器件和集成電路專家。女。河北樂亭人。1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子工程系。中國科學(xué)院微電子中心研究員。

60年初，吳德馨作為主要負(fù)責(zé)人之一，在國內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開關(guān)晶體管，所提出的提高開關(guān)速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣。六十年代末期研究成功介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。70年代末研究成功MOS4K位動態(tài)隨機(jī)存儲器。在國內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術(shù)用于大規(guī)模集成電路的研制，并進(jìn)行了提高成品率的研究。首先在國內(nèi)突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動態(tài)隨機(jī)存儲器。開發(fā)成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創(chuàng)了檢測腐蝕接觸孔質(zhì)量的露點法。80年代末期自主開發(fā)成功3微米CMOSLSI全套工藝技術(shù)，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路;并研究開發(fā)成功VDMOS系列功率場效應(yīng)器件和砷化嫁異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術(shù)，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。目前正在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究。

在我國，院士是科學(xué)家的終身榮譽(yù)。連日來，活躍在人代會上的院士們或直抒胸臆、縱橫捭闔，或條分縷析、娓娓道來，“風(fēng)采”各有不同。但他們的出發(fā)點都是相同的，就是為國家各項事業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的真知灼見，行使憲法和法律賦予的神圣職責(zé)。　全國人大代表、中科院院士吳德馨認(rèn)為，遏制司法腐敗，審判制度改革很重要。

吳德馨院士從事半導(dǎo)體器件與集成電路的研究與開發(fā)，曾獲國家和中科院一等獎3項。1992年被國家科委聘為“深亞微米結(jié)構(gòu)器件和介觀物理”項目首席科學(xué)家。

工作經(jīng)歷曾任國家重大科技攻關(guān)課題負(fù)責(zé)人;攀登計劃首席科學(xué)家;國家重大基礎(chǔ)研究顧問專家組成員;中科院學(xué)部主席團(tuán)成員;中國電子學(xué)會常務(wù)理事;半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會主任;第九屆、十屆全國人大常委會委員和教科文衛(wèi)委員會委員等職務(wù)。

研究領(lǐng)域主要從事化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場效應(yīng)晶體管、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發(fā)射驅(qū)動電路。

研究內(nèi)容對于集成電路系統(tǒng)級封裝(SIP)的發(fā)展概況及其趨勢做了介紹,對于從事此領(lǐng)域工作的讀者有指導(dǎo)性意義。由于集成電路設(shè)計水平和工藝技術(shù)的提高，集成電路規(guī)模越來越大，已可以將整個系統(tǒng)集成為一個芯片(目前已可在一個芯片上集成108個晶體管)。這就使得將含有軟硬件多種功能的電路組成的系統(tǒng)(或子系統(tǒng))集成于單一芯片成為可能。90年代末期集成電路已經(jīng)進(jìn)入系統(tǒng)級芯片(SOC)時代。20世紀(jì)80年代，專用集成電路用標(biāo)準(zhǔn)邏輯門作為基本單元，由加工線供給設(shè)計者無償使用以縮短設(shè)計周期：90年代末進(jìn)入系統(tǒng)級芯片時代，在一個芯片上包括了CPU、DSP、邏輯電路、模擬電路、射頻電路、存儲器和其它電路模塊以及嵌入軟件等，并相互連接構(gòu)成完整的系統(tǒng)。由于系統(tǒng)設(shè)計日益復(fù)雜，設(shè)計業(yè)出現(xiàn)了專門從事開發(fā)各種具有上述功能的集成電路模塊(稱做知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)核，即IP核)的工廠，并把這些模塊通過授權(quán)方式提供給其他系統(tǒng)設(shè)計者有償使用。設(shè)計者將以IP核作為基本單元進(jìn)行設(shè)計。IP核的重復(fù)使用既縮短了系統(tǒng)設(shè)計周期，又提高了系統(tǒng)設(shè)計的成功率。研究表明，與IC組成的系統(tǒng)相比，由于SOC設(shè)計能夠綜合并全盤考慮整個系統(tǒng)的各種情況，可以在同樣工藝技術(shù)條件下實現(xiàn)更高的系統(tǒng)指標(biāo)。21世紀(jì)將是SOC技術(shù)真正快速發(fā)展的時期。

近年來由于整機(jī)的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的趨勢，要求芯片上集成更多不同類型的元器件，如Si-CMOSIC、GaAs-RFIC、各類無源元件、光機(jī)電器件、天線、連接器和傳感器等。單一材料和標(biāo)準(zhǔn)工藝的SOC就受到了限制。近年來在SOC基礎(chǔ)上快速發(fā)展的系統(tǒng)級封裝(SiP)，即在一個封裝內(nèi)不僅可以組裝多個芯片，還可以將包含上述不同類型的器件和電路芯片疊在’—起，構(gòu)建成更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。

所獲榮譽(yù)在國內(nèi)率先提出了利用MEMS結(jié)構(gòu)實現(xiàn)激光器和光纖的無源耦合。并研究成功工作速率達(dá)10Gbps的光發(fā)射模塊。其中“先進(jìn)的深亞微米工藝技術(shù)及新型器件”獲2003年北京市科學(xué)技術(shù)一等獎。

獨立自主開發(fā)成功全套0.8微米CMOS工藝技術(shù)。獲1998年中科院科技進(jìn)步一等獎和1999年國家科技進(jìn)步二等獎。作為國家攀登計劃首席科學(xué)家負(fù)責(zé)“深亞微米結(jié)構(gòu)器件及介觀物理項目研究。開展了12項課題的研究。為介觀物理基礎(chǔ)和新結(jié)構(gòu)器件的進(jìn)一步研究打下基礎(chǔ)。

作為工藝負(fù)責(zé)人研究成功N溝MOS4K、16K動態(tài)隨機(jī)存儲器和成品率的提高。獨創(chuàng)了檢驗接觸孔質(zhì)量的露點檢測法。并推廣到上海器件五廠。分別獲得1980和1981年中科院科技成果一等獎兩次。負(fù)責(zé)平面型高速開關(guān)管的研究，獨立解決了提高開關(guān)速度的關(guān)鍵問題，并推廣至上海器件五廠和109廠，為兩彈一星采用的109計算機(jī)提供器件基礎(chǔ)。獲國家新產(chǎn)品一等獎。2004年，獲何梁何利技術(shù)科學(xué)獎。

70歲吳德馨打破美國芯片技術(shù)封鎖，成功實現(xiàn)國產(chǎn)首臺計算機(jī)在重慶量產(chǎn)。2020年6月9日10點，國產(chǎn)天玥TR117計算機(jī)量產(chǎn)成功，我們不會再被世界發(fā)達(dá)國家”卡脖子“。國產(chǎn)計算機(jī)釋放出積極的信號，龍芯暫時不是全球最強(qiáng)芯，未來是一張巨大的”猛獸“，它一定會帶領(lǐng)國產(chǎn)硬件和軟件實現(xiàn)復(fù)興。

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